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14N65-TC

更新时间： 2023-12-06 20:03:53

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N-CH

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14N65-TC 数据手册

14N65-TC

Power MOSFET



ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

Gate-Source Leakage Current

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

Static Drain-Source On-State Resistance

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V, I_D=250µA

650

V_DS=650V, V_GS=0V

V_GS=±30V, V_DS=0V

µA

I_GSS

±100 nA

V_GS(TH)

R_DS(ON)

V_DS=V_GS, I_D=250μA

2.0

4.0

V_GS=10V, I_D=7.0A

0.52 0.7

C_ISS

C_OSS

C_RSS

1960

200

Output Capacitance

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING CHARACTERISTICS

Total Gate Charge

Q_G

Q_GS

Q_GD

t_D(ON)

t_R

V_DS=300V, V_GS=10V, I_D=10A

I_G=1mA (Note 1, 2)

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

9.4

130

Turn-On Delay Time

Turn-On Rise Time

V_DD=300V, V_GS=10V, I_D=10A,

R_G=25Ω (Note 1, 2)

Turn-Off Delay Time

t_D(OFF)

t_F

Turn-Off Fall Time

SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Maximum Body-Diode Continuous Current

Maximum Body-Diode Pulsed Current

Drain-Source Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

I_S

I_SM

V_SD

t_rr

V_GS=0V, I_S=14A

1.4

364

μC

V_GS=0V, I_S=14A, di/dt=100A/μs

Reverse Recovery Charge

Q_rr

4.5

Notes: 1. Pulse Test : Pulse width ≤300μs, Duty cycle ≤ 2%.

2. Essentially independent of operating temperature.

UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD

4 of 9

QW-R205-452.C

www.unisonic.com.tw

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