12P10-TN3-T

更新时间： 2024-02-28 00:20:02

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100V P-CHANNEL MOSFET

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12P10-TN3-T 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	9.4 A	最大漏源导通电阻：	0.29 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37.6 A
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

12P10-TN3-T 数据手册

12P10

Preliminary

Power MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

Drain Current vs. Source to Drain Voltage

1200

1000

Switching Time Waveforms

800

600

V_DS

90%

10%

V_GS

400

t_d(off)

200

t_r

t_f

200

400

600

800

t_d(on)

Source to Drain Voltage,V_SD(mV)

Drain-Source On-State Resistance Characteristics

10V

4.5V

V_GS=2.5V

200

100

150

Drain to Source Voltage, V_DS(mV)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

7 of 6

www.unisonic.com.tw

QW-R502-262.a

1...4 5 67

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