12P10-TN3-T

更新时间： 2024-01-31 15:27:11

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100V P-CHANNEL MOSFET

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12P10-TN3-T 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	9.4 A	最大漏源导通电阻：	0.29 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37.6 A
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

12P10-TN3-T 数据手册

12P10

Preliminary

Power MOSFET

TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

D.U.T.

V_DS

R_G

Driver

V_DD

* dv/dt controlled by R_G

* I_SDcontrolled by pulse period

* D.U.T.-Device Under Test

Same Type

as D.U.T.

V_GS

Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

P. W.

V_GS

(Driver)

Period

P.W.

Period

10V

V_GS

I_FM, Body Diode Forward Current

I_SD

(D.U.T.)

di/dt

I_RM

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

V_DS

V_DD

(D.U.T.)

Body Diode

Forward Voltage Drop

Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

4 of 6

QW-R502-262.a

www.unisonic.com.tw

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