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12NN10

更新时间： 2024-02-25 16:30:43

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描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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12NN10 数据手册

12NN10

Body Diode Reverse Recovery Time (Note 1)

Body Diode Reverse Recovery Charge

Note: 1. Pulse test

Preliminary

Power MOSFET

t_RR

V_GS=0V, I_S=2A,

dI_F/dt=100A/μs

Q_RR

TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 3

QW-R502-506.a

www.unisonic.com.tw

1 234

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
12NN10_15	UTC	获取价格	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
12NN10G-S08-R	UTC	获取价格	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
12NN10L-S08-R	UTC	获取价格	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
12NPC30-60Z-50R0G	APITECH	获取价格	RF/Microwave Termination,
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