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Datasheet > 存储 > EEPROM> 11LC040T-I/P
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11LC040T-I/P

更新时间： 2024-01-27 01:01:33
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
38页 571K
描述
1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet

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11LC040T-I/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.3最大时钟频率 (fCLK)：1 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
长度：2.9 mm内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：3字数：512 words
字数代码：512工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TO-236
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.12 mm串行总线类型：1-WIRE
最大待机电流：0.000005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.005 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：1.3 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：SOFTWAREBase Number Matches：1

11LC040T-I/P 数据手册

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11AAXXX/11LCXXX  
1.0  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(†)  
Absolute Maximum Ratings  
VCC.............................................................................................................................................................................6.5V  
SCIO w.r.t. VSS.....................................................................................................................................-0.6V to VCC+1.0V  
Storage temperature .................................................................................................................................-65°C to 150°C  
Ambient temperature under bias...............................................................................................................-40°C to 125°C  
ESD protection on all pins..........................................................................................................................................4 kV  
† NOTICE: Stresses above those listed under ‘Absolute Maximum Ratings’ may cause permanent damage to the  
device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those  
indicated in the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for an  
extended period of time may affect device reliability.  
TABLE 1-1:  
DC CHARACTERISTICS  
Electrical Characteristics:  
Industrial (I):  
Automotive (E):  
Min.  
VCC = 2.5V to 5.5V  
VCC = 1.8V to 2.5V  
VCC = 2.5V to 5.5V  
TA = -40°C to +85°C  
TA = -20°C to +85°C  
TA = -40°C to +125°C  
DC CHARACTERISTICS  
Param.  
No.  
Sym.  
Characteristic  
Max.  
VCC+1  
Units  
Test Conditions  
D1  
VIH  
High-level input  
voltage  
0.7*VCC  
V
D2  
D3  
D4  
D5  
D6  
D7  
D8  
VIL  
VHYS  
VOH  
VOL  
IO  
Low-level input  
voltage  
-0.3  
-0.3  
0.3*VCC  
0.2*VCC  
V
V
VCC ≥ 2.5V  
VCC < 2.5V  
Hysteresis of Schmitt 0.05*Vcc  
Trigger inputs (SCIO)  
—
V
VCC ≥ 2.5V (Note 1)  
High-level output  
voltage  
VCC -0.5  
VCC -0.5  
—
—
V
V
IOH = -300 μA, VCC = 5.5V  
IOH = -200 μA, Vcc = 2.5V  
Low-level output  
voltage  
—
—
0.4  
0.4  
V
V
IOI = 300 μA, VCC = 5.5V  
IOI = 200 μA, Vcc = 2.5V  
Output current limit  
(Note 2)  
—
—
±4  
±3  
mA  
mA  
VCC = 5.5V (Note 1)  
Vcc = 2.5V (Note 1)  
ILI  
Input leakage current  
(SCIO)  
—
±1  
μA  
VIN = VSS or VCC  
CINT  
Internal Capacitance  
(all inputs and  
outputs)  
—
7
pF  
TA = 25°C, FCLK = 1 MHz,  
VCC = 5.0V (Note 1)  
D9  
ICC Read Read Operating  
Current  
—
—
3
1
mA  
mA  
VCC=5.5V; FBUS=100 kHz, CB=100 pF  
VCC=2.5V; FBUS=100 kHz, CB=100 pF  
D10 ICC Write Write Operating  
Current  
—
—
5
3
mA  
mA  
VCC = 5.5V  
VCC = 2.5V  
D11  
Iccs  
Standby Current  
—
5
μA  
VCC = 5.5V  
TA = 125°C  
—
—
1
μA  
μA  
VCC = 5.5V  
TA = 85°C  
D12  
ICCI  
Idle Mode Current  
50  
VCC = 5.5V  
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
2: The SCIO output driver impedance will vary to ensure IO is not exceeded.  
© 2008 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS22067E-page 3  
1234567...38

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