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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 112MT80KBS90PBF
112MT80KBS90PBF PDF预览

112MT80KBS90PBF

更新时间： 2024-02-26 02:17:14
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
9页 115K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 3 Element

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112MT80KBS90PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.09其他特性：UL APPROVED
外壳连接：ISOLATED配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：2.5 V
最大维持电流：200 mAJESD-30 代码：R-PUFM-X14
元件数量：3端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified重复峰值关态漏电流最大值：20000 µA
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

112MT80KBS90PBF 数据手册

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53-93-113MT..KB Series  
Bulletin I27503 08/97  
Blocking  
53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB  
Parameter  
52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB Units Conditions  
51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB  
VINS RMS isolation voltage  
4000  
V
TJ = 25oC all terminal shorted  
f = 50Hz, t = 1s  
dv/dt Max. critical rate of rise  
of off-state voltage (*)  
500  
V/µs TJ = TJ max., linear to 0.67 VDRM  
gate open circuit  
,
(*) Available with dv/dt = 1000V/ms, to complete code add S90 i.e. 113MT160KBS90.  
Triggering  
53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB  
Parameter  
52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB Units Conditions  
51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB  
PGM Max. peak gate power  
10  
W
TJ = TJ max.  
PG(AV) Max. average gate power  
2.5  
IGM  
Max. peak gate current  
2.5  
10  
A
V
-VGT Max. peak negative  
gate voltage  
VGT Max. required DC gate  
voltage to trigger  
4.0  
2.5  
V
TJ=-40°C  
TJ= 25°C Anodesupply=6V,resistiveload  
1.7  
TJ= 125°C  
TJ=-40°C  
IGT  
Max. required DC gate  
current to trigger  
270  
150  
80  
mA TJ= 25°C Anodesupply=6V,resistiveload  
TJ =125°C  
VGD Max. gate voltage  
that will not trigger  
0.25  
V
@ TJ = TJ max., ratedVDRMapplied  
IGD  
Max. gate current  
that will not trigger  
6
mA  
Thermal and Mechanical Specifications  
53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB  
Parameter  
52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB Units Conditions  
51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB  
TJ  
Max. junction operating  
temperature range  
-40 to 125  
°C  
Tstg  
Max. storage temperature  
range  
-40 to 125  
°C  
RthJC Max. thermal resistance,  
junction to case  
0.18  
1.07  
0.19  
1.17  
0.14  
0.86  
0.15  
0.91  
0.03  
0.12  
0.70  
0.12  
0.74  
K/W DC operation per module  
DC operation per junction  
120° Rect condunction angle per module  
120° Rect condunction angle per junction  
RthCS Max. thermal resistance,  
case to heatsink  
K/W Per module  
Mounting surface smooth, flat an greased  
A mounting compound is recommended and the  
Nm  
T
Mounting  
to heatsink  
to terminal  
4 to 6  
3 to 4  
225  
torque should be rechecked after a period of 3  
hoursto allow for the spread of the compound.  
torque ± 10%  
Lubricatedthreads.  
g
wt  
Approximate weight  
3
www.irf.com  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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