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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 112MT120KS90PBF
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112MT120KS90PBF

更新时间： 2024-02-01 01:03:48
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
9页 188K
描述
Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A

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112MT120KS90PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数：9Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.71
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：4 V快速连接描述：3G
螺丝端子的描述：3AK-2CA-CK最大维持电流：200 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-X9最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：1180 A元件数量：3
端子数量：9最大通态电流：110000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

112MT120KS90PBF 数据手册

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5.MT...KPbF, 9.MT...KPbF, 11.MT...KPbF Series  
Three Phase Controlled Bridge  
(Power Modules), 55 A to 110 A  
Vishay High Power Products  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
1200  
At any rated load condition and with  
rated VRRM applied following surge.  
Initial TJ = 125 °C  
Maximum non-repetitive surge current  
versus pulse train duration. Control  
of conduction may not be maintained.  
Initial TJ = 125 °C  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
at 60 Hz 0.0083 s  
at 50 Hz 0.0100 s  
No voltage reapplied  
Rated VRRM reapplied  
11.MT..K Series  
Per junction  
11.MT..K Series  
Per junction  
1
10  
100  
0.01  
0.1  
1.0  
94353_14  
Number of Equal Amplitude Half  
94353_15  
Pulse Train Duration (s)  
Cycle Current Pulses (N)  
Fig. 14 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Fig. 15 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
10  
Steady state value  
RthJC = 1.07 K/W  
RthJC = 0.86 K/W  
5.MT..K Series  
11.MT..K Series  
9.MT..K Series  
1
RthJC = 0.70 K/W  
(DC operation)  
0.1  
0.01  
Per junction  
0.001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
94353_16  
Square Wave Pulse Duration (s)  
Fig. 16 - Thermal Impedance ZthJC Characteristics  
10  
1
(1) PGM = 100 W, tp = 500 μs  
Rectangular gate pulse  
(2) PGM = 50 W, tp = 1 ms  
(3) PGM = 20 W, tp = 25 ms  
(4) PGM = 10 W, tp = 5 ms  
a) Recommended load line for  
rated dI/dt: 20 V, 30 Ω;  
tr = 0.5 μs, tp ≥ 6 μs  
b) Recommended load line for  
≤ 30 % rated dI/dt: 20 V, 65 Ω  
tr = 1 μs, tp ≥ 6 μs  
(a)  
(b)  
0.1  
(1)  
(4)  
(3)  
(2)  
VGD  
IGD  
0.01  
Frequency Limited by PG(AV)  
10 100  
5.MT...K, 9.MT...K, 11.MT...K Series  
0.1  
0.01  
0.001  
1
1000  
94353_17  
Instantaneous Gate Current (A)  
Fig. 17 - Gate Characteristics  
Document Number: 94353  
Revision: 13-Aug-08  
For technical questions, contact: indmodules@vishay.com  
www.vishay.com  
7
1...456789

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
112MT140K ETC THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.4KV V(RRM)|110A I(T)

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