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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 112MT100KPBF
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112MT100KPBF

更新时间： 2024-01-01 11:28:25
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
9页 188K
描述
Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A

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112MT100KPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数：9Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.71
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：4 V快速连接描述：3G
螺丝端子的描述：3AK-2CA-CK最大维持电流：200 mA
JESD-30 代码：R-XUFM-X9最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：1180 A元件数量：3
端子数量：9最大通态电流：110000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified断态重复峰值电压：1000 V
重复峰值反向电压：1000 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

112MT100KPBF 数据手册

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5.MT...KPbF, 9.MT...KPbF, 11.MT...KPbF Series  
Three Phase Controlled Bridge  
(Power Modules), 55 A to 110 A  
Vishay High Power Products  
850  
800  
750  
700  
650  
600  
550  
500  
450  
400  
130  
120  
110  
100  
90  
At any rated load condition and with  
rated VRRM applied following surge.  
Initial TJ = 125 °C  
11.MT..K Series  
at 60 Hz 0.0083 s  
at 50 Hz 0.0100 s  
120°  
(Rect.)  
+
-
~
9.MT..K Series  
Per junction  
80  
10  
100  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
1
94353_09  
Number of Equal Amplitude Half  
94353_11  
Total Output Current (A)  
Cycle Current Pulses (N)  
Fig. 9 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Fig. 11 - Current Ratings Characteristic  
1000  
900  
1000  
100  
10  
Maximum non-repetitive surge current  
versus pulse train duration. Control  
of conduction may not be maintained.  
Initial TJ = 125 °C  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
No voltage reapplied  
Rated VRRM reapplied  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
9.MT..K Series  
Per junction  
11.MT..K Series  
Per junction  
1
0.01  
0.1  
1
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
94353_10  
Pulse Train Duration (s)  
Fig. 10 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
94353_12  
Instantaneous On-State Voltage (V)  
Fig. 12 - Forward Voltage Drop Characteristics  
350  
300  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
11.MT..K Series  
TJ = 125 °C  
250  
200  
150  
100  
50  
120°  
(Rect.)  
0
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110  
0
25  
50  
75  
100  
125  
Total Output Current  
94353_13a  
94353_13b  
Maximum Total Power Loss (W)  
Fig. 13 - Total Power Loss Characteristics  
www.vishay.com  
6
For technical questions, contact: indmodules@vishay.com  
Document Number: 94353  
Revision: 13-Aug-08  
1...3456789

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与112MT100KPBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
112MT100KS90PBF VISHAY Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A

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112MT120K ETC THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.2KV V(RRM)|110A I(T)

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112MT120KB INFINEON THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE

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112MT120KBPBF VISHAY 暂无描述

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112MT120KBS90PBF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 3 Element

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