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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 110RKI80MPBF
110RKI80MPBF PDF预览

110RKI80MPBF

更新时间： 2024-02-22 18:45:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极
页数 文件大小 规格书
7页 180K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

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110RKI80MPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-94
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-CUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.17标称电路换相断开时间：110 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：120 mA最大直流栅极触发电压：2 V
最大维持电流：200 mAJEDEC-95代码：TO-209AC
JESD-30 代码：O-CUPM-H3最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：2180 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：110000 A
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：172 A
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

110RKI80MPBF 数据手册

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110/111RKI Series  
Phase Control Thyristors  
(Stud Version), 110 A  
Vishay High Power Products  
140  
140  
1
thJC  
thJC  
R
(DC) = 0.27 K/W  
R
(DC) = 0.27 K/W  
130  
120  
110  
100  
90  
130  
120  
110  
100  
90  
Conduction Period  
Conduction Angle  
30°  
60°  
90°  
90°  
60°  
120°  
80  
120°  
30°  
40  
180°  
12  
DC  
180°  
80  
70  
0
20  
60  
80  
100  
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180  
Average On-state Current (A)  
Average On-state Current (A)  
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics  
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics  
160  
180°  
t
h
S
A
120°  
90°  
60°  
30°  
140  
120  
100  
80  
1
K
/
W
RMS Limit  
1
.
5
K
/
W
W
2
Conduction Angle  
K
/
60  
40  
4
K
/
W
W
T
= 140°C  
20  
J
5
K
/
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
1
20 20  
40  
60  
80 100 120 140  
Average On-state Current (A)  
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)  
Fig. 3 - On-State Power Loss Characteristics  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
DC  
180°  
120°  
90°  
60°  
30°  
0
.
8
K
/
W
RMS Limit  
Conduction Period  
2
K
/
W
60  
40  
4 K  
/
W
W
T
= 140°C  
J
20  
5
K
/
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 1  
80 20  
40  
60  
80 100 120 140  
Average On-state Current (A)  
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)  
Fig. 4 - On-State Power Loss Characteristics  
www.vishay.com  
4
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
Document Number: 93692  
Revision: 06-Jun-08  
1234567

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与110RKI80MPBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
110RKI80PBF VISHAY Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A

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110RKI80S90 INFINEON PHASE CONTROL THYRISTORS Stud Version

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110RKI80S90 VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD

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110RKI80S90PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD

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110-S-21 Carling Technologies Toggle Switch, SPST, Latched, 6A, 125VDC, Screw Terminal, Ball Type Actuator, Panel Mount-

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