10TQ045STRL

更新时间： 2024-02-21 07:47:33

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威世 - VISHAY		整流二极管
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6页	126K
描述
Schottky Rectifier, 10 A

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10TQ045STRL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.31	其他特性：	LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.49 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	280 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	最大反向电流：	15000 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40

10TQ045STRL 数据手册

10TQ...S

Vishay High Power Products

Schottky Rectifier, 10 A

FEATURES

• 175 °C T_Joperation

• Low forward voltage drop

• High frequency operation

Base

cathode

• High purity, high temperature epoxy encapsulation for

enhanced mechanical strength and moisture resistance

• Guard ring for enhanced ruggedness and long term

reliability

D²PAK

N/C

Anode

• Designed and qualified for Q101 level

DESCRIPTION

The 10TQ...S Schottky rectifier series has been optimized for

low reverse leakage at high temperature. The proprietary

barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C

junction temperature. Typical applications are in switching

power supplies, converters, freewheeling diodes, and

reverse battery protection.

PRODUCT SUMMARY

I_F(AV)

10 A

35/45 V

V_R

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

CHARACTERISTICS

VALUES

UNITS

Rectangular waveform

35/45

t_p= 5 µs sine

10 Apk, T_J= 125 °C

Range

1050

V_F

0.49

T_J

- 55 to 175

°C

VOLTAGE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

V_R

10TQ035S

10TQ045S

UNITS

Maximum DC reverse voltage

Maximum working peak reverse voltage

V_RWM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

See fig. 5

I_F(AV)

50 % duty cycle at T_C= 151 °C, rectangular waveform

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

See fig. 7

Following any rated

load condition and with

rated V_RRMapplied

5 µs sine or 3 µs rect. pulse

1050

I_FSM

10 ms sine or 6 ms rect. pulse

T_J= 25 °C, I_AS= 2 A, L = 6.5 mH

280

Non-repetitive avalanche energy

Repetitive avalanche current

E_AS

I_AR

Current decaying linearly to zero in 1 µs

Frequency limited by T_Jmaximum V_A= 1.5 x V_Rtypical

Document Number: 93943

Revision: 25-Jun-08

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

www.vishay.com

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