10RIA80MS90

更新时间： 2024-01-31 22:50:04

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英飞凌 - INFINEON		栅极触发装置可控硅整流器
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8页	185K
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MEDIUM POWER THYRISTORS

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10RIA80MS90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-48
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.05	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	60 mA
JEDEC-95代码：	TO-208AA	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	25 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

10RIA80MS90 数据手册

10RIA Series

Bulletin I2405 rev. A 07/00

1000

100

= 25 C

= 125 C

10RIA Series

0.5

1.5

Instantaneous On-state Voltage (V)

Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics

2.5

3.5

Steady State Value

= 1.85 K/W

thJC

(DC Operation)

10RIA Series

0.1

0.001

0.01

0.1

Square Wave Pulse Duration (s)

Fig. 8 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

100

Rectangular gate pulse

a) Recommended load line for

rated di/dt : 10V, 20ohms

(1) PGM = 16W, tp = 4ms

(2) PGM = 30W, tp = 2ms

(3) PGM = 60W, tp = 1ms

(4) PGM = 60W, tp = 1ms

tr <=0.5 µs, tp >= 6 µs

b) Recommended load line for

<=30% rated di/dt : 10V, 65ohms

tr<=1 µs, tp >= 6 µs

(a)

(b)

(4)

(3)

(2)

(1)

VGD

IGD

10RIA Series Frequency Limited by PG(AV)

0.1

0.001

0.01

0.1

100

Instantaneous Gate Current (A)

Fig. 9 - Gate Characteristics

www.irf.com

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