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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 10RIA60S90M
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10RIA60S90M

更新时间： 2024-02-28 07:00:48
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 600V V(DRM)

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10RIA60S90M 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-48
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.05其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：60 mA
JEDEC-95代码：TO-208AAJESD-30 代码：O-MUPM-D2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

10RIA60S90M 数据手册

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10RIA Series  
Medium Power Thyristors  
(Stud Version), 10 A  
Vishay High Power Products  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
V
DRM/VRRM, MAXIMUM REPETITIVE PEAK  
V
RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IDRM/IRRM MAXIMUM  
AT TJ = TJ MAXIMUM  
mA  
TYPE  
NUMBER  
VOLTAGE  
CODE  
AND OFF-STATE VOLTAGE (1)  
V
PEAK VOLTAGE (2)  
V
20  
10  
20  
100  
200  
150  
300  
40  
400  
500  
10RIA  
60  
600  
700  
10  
80  
800  
900  
100  
120  
1000  
1200  
1100  
1300  
Notes  
(1)  
Units may be broken over non-repetitively in the off-state direction without damage, if dI/dt does not exceed 20 A/µs  
For voltage pulses with tp ≤ 5 ms  
(2)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
10  
UNITS  
A
°C  
A
Maximum average on-state current  
at case temperature  
IT(AV)  
180° conduction, half sine wave  
85  
Maximum RMS on-state current  
IT(RMS)  
25  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
225  
240  
190  
200  
255  
233  
180  
165  
2550  
No voltage  
reapplied  
Maximum peak, one-cycle  
non-repetitive surge current  
ITSM  
A
100 % VRRM  
reapplied  
Sinusoidal  
half wave,  
initial TJ =  
TJ maximum  
No voltage  
reapplied  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
100 % VRRM  
reapplied  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
VT(TO)1  
VT(TO)2  
rt1  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
A2√s  
(16.7 % x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)),  
TJ = TJ maximum  
Low level value of threshold voltage  
1.10  
1.39  
24.3  
V
High level value of threshold voltage  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
Low level value of  
on-state slope resistance  
(16.7 % x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)),  
TJ = TJ maximum  
mΩ  
High level value of  
on-state slope resistance  
rt2  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
16.7  
Maximum on-state voltage  
Maximum holding current  
Typical latching current  
VTM  
IH  
Ipk = 32 A, TJ = 25 °C, tp = 10 ms sine pulse  
1.75  
130  
200  
V
TJ = 25 °C, anode supply 12 V resistive load  
mA  
IL  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
Document Number: 93689  
Revision: 06-Jun-08  
12345678

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与10RIA60S90M相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
10RIA60S90PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AA,

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10RIA80 INFINEON MEDIUM POWER THYRISTORS

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10RIA80 VISHAY Medium Power Thyristors (Stud Version), 10 A

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10RIA80F INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 15.7A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

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10RIA80L VISHAY 暂无描述

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10RIA80LPBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 15.7A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

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