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10RIA20MS90PBF

更新时间： 2024-02-20 23:40:53

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
8页	152K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, 2 PIN

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10RIA20MS90PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-48
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.05
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	60 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	25 A	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

10RIA20MS90PBF 数据手册

10RIA Series

Medium Power Thyristors

(Stud Version), 10 A

Vishay High Power Products

1000

100

T = 2 5 ° C

T = 12 5 ° C

10RIA Series

0.5

1.5

2.5

3.5

InstantaneousOn-state Voltage (V)

Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics

Steady State Value

= 1.85 K/W

thJC

(DC Operation)

10RIA Series

0.1

0.001

0.01

0.1

Square Wave Pulse Duration (s)

Fig. 8 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

100

Rectangular gate pulse

(1) PGM = 16W, tp = 4ms

(2) PGM = 30W, tp = 2ms

(3) PGM = 60W, tp = 1ms

(4) PGM = 60W, tp = 1ms

a) Recommended load line for

rated di/dt : 10V, 20ohms

tr <=0.5 µs, tp >= 6 µs

b) Recommended load line for

<=30%rated di/dt : 10V, 65ohms

tr<=1 µs, tp >= 6 µs

(a)

(b)

(4)

(3)

(2)

(1)

VGD

IGD

10RIA Series Frequency Limited by PG(AV)

0.1

0.001

0.01

0.1

100

Instantaneous Gate Current (A)

Fig. 9 - Gate Characteristics

www.vishay.com

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

Document Number: 93689

Revision: 06-Jun-08

1...3 4 567 8

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