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10RIA20

更新时间： 2024-01-17 09:41:49
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
MEDIUM POWER THYRISTORS

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10RIA20 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-48
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.05
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：60 mAJEDEC-95代码：TO-208AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
断态重复峰值电压：200 V重复峰值反向电压：200 V
表面贴装：NO端子面层：TIN COPPER
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

10RIA20 数据手册

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10RIA Series  
Bulletin I2405 rev. A 07/00  
Switching  
Parameter  
Max. rate of rise of turned-on  
current DRM ≤ 600V  
DRM ≤ 800V  
DRM ≤ 1000V  
DRM ≤ 1600V  
10RIA  
Units Conditions  
TJ = TJ max., VDM = rated VDRM  
A/µs Gate pulse = 20V, 15Ω, t = 6µs, t = 0.1µs max.  
di/dt  
V
200  
180  
160  
150  
p
r
V
ITM = (2x rated di/dt) A  
V
V
t
Typical turn-on time  
0.9  
TJ = 25°C,  
gt  
at = rated VDRM/VRRM, TJ = 125°C  
TJ = TJ max.,  
t
Typical reverse recovery time  
Typical turn-off time  
4
µs  
rr  
ITM = IT(AV), t > 200µs, di/dt = -10A/µs  
p
t
110  
TJ = TJ max., ITM = IT(AV), t > 200µs, VR = 100V,  
p
q
di/dt = -10A/µs, dv/dt = 20V/µs linear to  
67% VDRM, gate bias 0V-100W  
(*) t = 10µsup to 600V, t = 30µs up to 1600V available on special request.  
q
q
Blocking  
Parameter  
10RIA  
Units Conditions  
dv/dt Max. critical rate of rise of  
off-state voltage  
100  
TJ = TJ max. linear to 100% rated VDRM  
TJ = TJ max. linear to 67% rated VDRM  
V/µs  
300 (*)  
(**) Available with: dv/dt = 1000V/µs, to complete code add S90 i.e. 10RIA120S90.  
Triggering  
Parameter  
10RIA  
8.0  
Units Conditions  
PGM  
Maximum peak gate power  
TJ = TJ max.  
W
PG(AV) Maximum average gate power  
IGM Max. peak positive gate current  
2.0  
1.5  
A
V
TJ = TJ max.  
TJ = TJ max.  
-VGM Maximum peak negative  
gate voltage  
10  
IGT  
DC gate current required  
to trigger  
90  
60  
35  
3.0  
TJ = - 65°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = - 65°C  
Max. required gate trigger current/  
voltage are the lowest value which  
will trigger all units 6V anode-to-  
cathode applied  
mA  
VGT  
DC gate voltage required  
to trigger  
2.0  
1.0  
2.0  
V
V
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
IGD  
DC gate current not to trigger  
DC gate voltage not to trigger  
mA  
TJ = TJ max., VDRM = rated value  
Max. gate current/ voltage not to  
VGD  
0.2  
V
TJ = TJ max.  
DRM = rated value  
trigger is the max. value which  
will not trigger any unit with rated  
VDRM anode-to-cathode applied  
V
www.irf.com  
3
12345678

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