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10ETF12STRR

更新时间: 2024-01-09 13:26:46
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

10ETF12STRR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AC包装说明:R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.29其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.33 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:185 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向恢复时间:0.31 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

10ETF12STRR 数据手册

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10ETF..S QUIETIR Series  
I2140 rev. A 12/99  
160  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
At Any Ra ted Load C on dition And W ith  
M axim um No n Re p etitive Su rge C urren t  
Versus Pulse Train D uratio n.  
R ated  
V
App lied Follow in g S urg e.  
R RM  
140  
120  
100  
80  
Initial T = 150°C  
Initial T = 150°C  
J
J
@ 60 Hz 0.0083 s  
@ 50 Hz 0.0100 s  
N o Voltage Reapplied  
Rated V  
Reapplied  
RR M  
60  
60  
10ETF..S Series  
10ETF..S Series  
40  
0.01  
40  
0.1  
Pulse Train Duration (s)  
1
1
10  
100  
Nu m b er O f Equ a l Am p litude Ha lf C y cle Cu rrent Pu ls es (N)  
Fig.5-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
100  
Fig.6-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
10  
T
T
= 25°C  
J
J
= 150°C  
10ETF..S Series  
1
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
Instantaneous Forw ard Voltage (V)  
Fig.7-ForwardVoltageDropCharacteristics  
0.2  
0.15  
0.1  
0.4  
I
=
20 A  
0.3  
0.2  
0.1  
0
FM  
10  
A
I
=
20  
A
FM  
5 A  
2 A  
1 A  
10  
5
A
A
A
0.05  
0
2
10ETF..S Serie s  
10ETF..S Series  
1
A
T
= 25 ° C  
T
= 150 °C  
J
J
0
4 0  
80  
120  
160  
200  
0
40  
80  
120  
160  
200  
R a te O f Fa ll O f For w a rd C u rren t - d i/d t (A /µ s)  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/µs)  
Fig.8-RecoveryTimeCharacteristics,TJ =25°C  
Fig.9-RecoveryTimeCharacteristics,TJ=150°C  
4
www.irf.com  

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