5秒后页面跳转
10ETF10S PDF预览

10ETF10S

更新时间: 2024-02-19 04:03:54
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 整流二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

10ETF10S 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-263
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.22Is Samacsys:N
其他特性:FREEWHEELING应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.33 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:185 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:100 µA
最大反向恢复时间:0.31 µs表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

10ETF10S 数据手册

 浏览型号10ETF10S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10ETF10S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号10ETF10S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号10ETF10S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10ETF10S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号10ETF10S的Datasheet PDF文件第7页 
10ETF..S QUIETIR Series  
I2140 rev. A 12/99  
160  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
At Any Ra ted Load C on dition And W ith  
M axim um No n Re p etitive Su rge C urren t  
Versus Pulse Train D uratio n.  
R ated  
V
App lied Follow in g S urg e.  
R RM  
140  
120  
100  
80  
Initial T = 150°C  
Initial T = 150°C  
J
J
@ 60 Hz 0.0083 s  
@ 50 Hz 0.0100 s  
N o Voltage Reapplied  
Rated V  
Reapplied  
RR M  
60  
60  
10ETF..S Series  
10ETF..S Series  
40  
0.01  
40  
0.1  
Pulse Train Duration (s)  
1
1
10  
100  
Nu m b er O f Equ a l Am p litude Ha lf C y cle Cu rrent Pu ls es (N)  
Fig.5-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
100  
Fig.6-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
10  
T
T
= 25°C  
J
J
= 150°C  
10ETF..S Series  
1
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
Instantaneous Forw ard Voltage (V)  
Fig.7-ForwardVoltageDropCharacteristics  
0.2  
0.15  
0.1  
0.4  
I
=
20 A  
0.3  
0.2  
0.1  
0
FM  
10  
A
I
=
20  
A
FM  
5 A  
2 A  
1 A  
10  
5
A
A
A
0.05  
0
2
10ETF..S Serie s  
10ETF..S Series  
1
A
T
= 25 ° C  
T
= 150 °C  
J
J
0
4 0  
80  
120  
160  
200  
0
40  
80  
120  
160  
200  
R a te O f Fa ll O f For w a rd C u rren t - d i/d t (A /µ s)  
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/µs)  
Fig.8-RecoveryTimeCharacteristics,TJ =25°C  
Fig.9-RecoveryTimeCharacteristics,TJ=150°C  
4
www.irf.com  

与10ETF10S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
10ETF10SPBF VISHAY Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A

获取价格

10ETF10SPBF INFINEON Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

获取价格

10ETF10SSTRL VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, SMD-220, D2PAK-

获取价格

10ETF10SSTRLPBF VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,

获取价格

10ETF10STLR INFINEON FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

获取价格

10ETF10STRL VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, SMD-220, TO-220AC, D2PAK-

获取价格