10BQ030PBF

更新时间： 2024-02-15 11:57:23

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描述
SCHOTTKY RECTIFIER

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10BQ030PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

10BQ030PBF 数据手册

10BQ030

Bulletin PD-20708 rev. G 07/04

Voltage Ratings

Part number

10BQ030

V_R

Max. DC Reverse Voltage (V)

V_RWMMax. Working Peak Reverse Voltage (V)

Absolute Maximum Ratings

Parameters

10BQ Units

Conditions

I_F(AV)Max. Average Forward Current

I_FSMMax. Peak One Cycle Non-Repetitive

SurgeCurrent *SeeFig.6

1.0

430

50%dutycycle@T_L= 106°C,rectangularwaveform.

Following any rated

5µs Sineor3µsRect.pulse

10msSineor6msRect. pulse

load condition and

with rated V_RRMapplied

E_ASNon-Repetitive Avalanche Energy

3.0

1.0

mJ T_J=25°C,I_AS=1A,L=6mH

Current decayinglinearlytozeroin1µsec

I_AR

Repetitive Avalanche Current

Frequencylimited byT_Jmax.Va=1.5xVr typical

Electrical Specifications

Parameters

10BQ Units

Conditions

V_FMMax. Forward Voltage Drop

(1) 0.420

@ 1A

@ 2A

T_J= 25 °C

0.470

(1) 0.300

0.370

V_FMMax. Forward Voltage Drop

@ 1A

@ 2A

T_J= 125 °C

0.5

5.0

mA T_J= 25 °C

mA T_J= 100 °C

mA T_J= 125 °C

V_R= rated V_R

I_RM

Max. Reverse Leakage Current (1)

C_T

L_S

Max. Junction Capacitance

Typical Series Inductance

200

V_R= 5V_DC, (test signal range 100KHz to 1Mhz) 25°C

2.0

nH Measured lead to lead 5mm from package body

V/µs

dv/dt Max. Voltage Rate of Change

(Rated V_R)

10000

(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%

Thermal-Mechanical Specifications

Parameters

10BQ Units

Conditions

T_J

Max.Junction Temperature Range(*) -55 to150 °C

T_stgMax. Storage Temperature Range -55 to150 °C

R_thJLMax. Thermal Resistance Junction

°C/W DC operation

°C/W

to Lead

(**)

R_thJAMax. Thermal Resistance Junction

to Ambient

Approximate Weight

0.10(0.003) g (oz.)

Case Style

Device Marking

SMB

IR1E

Similar DO-214AA

(*) dPtot

dTj

thermal runaway condition for a diode on its own heatsink

Rth(j-a)

(**) Mounted 1 inch square PCB

www.irf.com

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