10BQ040M

更新时间： 2024-02-01 02:54:44

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威世 - VISHAY		/
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6页	110K
描述
Schottky Rectifiler, 1.0 A

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10BQ040M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.7 V	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	430 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

10BQ040M 数据手册

VS-10BQ040-M3

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Schottky Rectifier, 1.0 A

FEATURES

• Low forward voltage drop

• Guard ring for enhanced ruggedness and long

term reliability

Cathode

Anode

• Small foot print, surface mountable

• High frequency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

PRODUCT SUMMARY

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Package

SMB

1.0 A

40 V

I_F(AV)

DESCRIPTION

V_R

The VS-10BQ040-M3 surface mount Schottky rectifier has

been designed for applications requiring low forward drop

and very small foot prints on PC boards. Typical

applications are in disk drives, switching power supplies,

converters, freewheeling diodes, battery charging, and

reverse battery protection.

V_Fat I_F

I_RM

0.38 V

9 mA at 125 °C

150 °C

T_Jmax.

Diode variation

E_AS

Single die

3.0 mJ

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

CHARACTERISTICS

VALUES

1.0

UNITS

Rectangular waveform

t_p= 5 μs sine

1.0 Apk, T_J= 125 °C

Range

430

V_F

0.38

T_J

- 55 to 150

°C

VOLTAGE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

VS-10BQ040-M3

UNITS

Maximum DC reverse voltage

Maximum working peak reverse voltage

V_R

V_RWM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

50 % duty cycle at T_L= 122 °C, rectangular waveform

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

I_F(AV)

1.0

Following any rated

load condition and with

rated V_RRMapplied

5 μs sine or 3 μs rect. pulse

430

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

I_FSM

10 ms sine or 6 ms rect. pulse

T_J= 25 °C, I_AS= 1 A, L = 6 mH

Non-repetitive avalanche energy

Repetitive avalanche current

E_AS

I_AR

3.0

Current decaying linearly to zero in 1 μs

Frequency limited by T_Jmaximum V_A= 1.5 x V_Rtypical

1.0

Revision: 29-May-12

Document Number: 93335

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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