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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 10BQ015PBF
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10BQ015PBF

更新时间： 2024-01-18 05:30:06
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 164K
描述
SCHOTTKY RECTIFIER

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10BQ015PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AA包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：7.2其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.44 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：140 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：15 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

10BQ015PBF 数据手册

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10BQ015  
Bulletin PD-2.396 rev. I 07/04  
Voltage Ratings  
Part number  
10BQ015  
VR  
Max. DC Reverse Voltage (V)  
15  
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)  
25  
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
10BQ Units  
Conditions  
IF(AV) Max. Average Forward Current  
*SeeFig. 5  
1.0  
A
50%dutycycle@TL = 84°C, rectangularwaveform.  
Following any rated  
load condition and  
IFSM Max. Peak One Cycle Non-Repetitive  
SurgeCurrent *SeeFig. 7  
140  
40  
5µs Sineor3µsRect. pulse  
A
10ms Sine or 6ms Rect. pulse with rated VRRM applied  
EAS Non-Repetitive Avalanche Energy  
1.0  
1.0  
mJ TJ =25°C,IAS =1A,L=2mH  
IAR  
Repetitive Avalanche Current  
A
Currentdecaynglinearlytozeroin1µsec  
FrequencylimitedbyTJ max. VA =1.5xVR typical  
Electrical Specifications  
Parameters  
10BQ Units  
Conditions  
VFM Max. Forward Voltage Drop  
* See Fig. 1  
(1)  
0.35  
0.44  
0.32  
0.40  
0.5  
V
V
V
V
@ 1.0A  
@ 2.0A  
@ 1.0A  
@ 2.0A  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
IRM Max. Reverse Leakage Current (1)  
* See Fig. 2  
mA TJ = 25 °C  
mA TJ = 100 °C  
VR = rated VR  
12  
VF(TO) Threshold Voltage  
-
-
V
TJ = TJ max.  
rt  
Forward Slope Resistance  
mΩ  
pF  
C T Typical Junction Capacitance  
L S Typical Series Inductance  
dv/dt Max. Voltage Rate of Change  
390  
2.0  
10000  
VR = 5VDC, (test signal range 100KHz to 1MHz) 25°C  
nH Measured lead to lead 5mm from package body  
V/µs (Rated VR)  
(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2%  
Thermal-Mechanical Specifications  
Parameters  
10BQ Units  
Conditions  
TJ  
Max. JunctionTemperatureRange (*) -55 to125 °C  
Tstg Max.StorageTemperature Range  
-55 to150 °C  
RthJL Max.Thermal Resistance  
Junction to Lead  
36  
°C/W DCoperation(SeeFig.4)  
(**)  
RthJA Max. Thermal Resistance  
Junction to Ambient  
80  
°C/W DC operation  
wt  
Approximate Weight  
Case Style  
0.10(0.003) g (oz.)  
SMB  
Similar to DO-214AA  
Device Marking  
IR1C  
(*) dPtot  
dTj  
1
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j-a)  
(**) Mounted 1 inch square PCB  
2
www.irf.com  
123456

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