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1.5KE170CA

更新时间: 2024-02-13 04:33:51
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MDE 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 55K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

1.5KE170CA 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, CASE 1, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.02
Is Samacsys:N最大击穿电压:187 V
最小击穿电压:153 V击穿电压标称值:170 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:244 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.52 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:138 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1.5KE170CA 数据手册

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MDE Semiconductor, Inc.  
78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA., USA 92253 Tel: 760-564-8656 • Fax: 760-564-2414  
1-800-831-4881 Email: sales@mdesemicondutor.com Web: www.mdesemiconductor.com  
1500 Watt TVS  
BREAKDOWN BREAKDOWN  
MAXIMUM  
CLAMPING  
VOLTAGE @IPP  
VC (V)  
REVERSE  
LEAKAGE  
@ VRWM  
REVERSE  
STANDOFF  
VOLTAGE  
TEST  
CURRENT  
(IT)  
PEAK  
PULSE  
CURRENT  
VOLTAGE  
BR (V)  
VOLTAGE  
BR (V)  
UNI-POLAR  
BI-POLAR  
V
V
VRWM (V)  
IPP (A)  
MIN. @ IT  
MAX. @ IT  
IR (µA)  
mA  
5.80  
6.40  
6.45  
7.13  
7.14  
7.88  
10  
10  
10  
10  
1
10.5  
11.3  
12.1  
13.4  
14.5  
15.6  
16.7  
18.2  
21.2  
22.5  
25.2  
27.7  
30.6  
33.2  
37.5  
41.4  
45.7  
49.9  
53.9  
59.3  
64.8  
70.1  
77.0  
85.0  
92.0  
144.8  
134.5  
125.6  
113.4  
104.8  
97.4  
91.0  
83.5  
71.7  
67.6  
60.3  
54.9  
49.7  
45.8  
40.5  
36.7  
33.3  
30.5  
28.2  
25.6  
23.5  
21.7  
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500  
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10.0  
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6.5  
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2.1  
2.1  
2.0  
2.0  
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5
5
5
5
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5
5
5
5
5
5
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408.00  
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450.00  
459.00  
467.00  
For bidirectional type having Vrwm of 10 volts and less, the IR limit is double.  
For parts without A , the VBR is ±10%  
Certified RoHS Compliant  
UL File # E223026  

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1.5KE170CA.TR SEMTECH Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 145V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

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