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1.4KESD160TR

更新时间： 2024-02-07 04:39:41

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	190K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AH, HERMETIC SELAD, GLASS, DO-35, 2 PIN

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1.4KESD160TR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.23
最小击穿电压：	178 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	356.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AH	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	1400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	160 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1.4KESD5.0 thru 1.4KESD170CA

AXIAL-LEAD TVS

S C O T T S D A L E D I V I S I O N

^BreakdF^owIGⁿU^VoR^ltaE^ge2^V

Capacitance vs. V_(BR)for unidirectional.

For Bidirectional, value is one-half that

shown at zero volts.

in Volts

FIGURE 4

(BR)

Clamping Factor vs. Breakdown Voltage for Various Power Levels

PACKAGE DIMENSIONS

DO-35

Microsemi

Page 4

10-02-2003 REV A

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1.4KESD160TRE3	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 160V V(RWM), Unidirectional,	获取价格
1.4KESD16A	MICROSEMI	AXIAL-LEAD TVS	获取价格
1.4KESD16AE3	MICROSEMI	AXIAL-LEAD TVS	获取价格
1.4KESD16AE3TR	MICROSEMI	暂无描述	获取价格
1.4KESD16ATR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 16V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
1.4KESD16ATRE3	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 16V V(RWM), Unidirectional,	获取价格