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Datasheet > 电信电路 > 网络接口> 0ICAH-002-XTD
0ICAH-002-XTD PDF预览

0ICAH-002-XTD

更新时间： 2024-02-24 22:13:52
品牌 Logo 应用领域
AMI 网络接口电信集成电路电信电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 626K
描述
High-Speed CAN Transceiver

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0ICAH-002-XTD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3/e4
长度：4.9 mm功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.72 mm
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

0ICAH-002-XTD 数据手册

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AMIS-42670 High-Speed CAN Transceiver  
Data Sheet  
For Long Networks  
8.0 Electrical Characteristics  
8.1 Definitions  
All voltages are referenced to GND (pin 2). Positive currents flow into the IC. Sinking current means the current is flowing into the pin;  
sourcing current means the current is flowing out of the pin.  
8.2 Absolute Maximum Ratings  
Stresses above those listed in the following table may cause permanent device failure. Exposure to absolute maximum ratings for  
extended periods may affect device reliability.  
Table 4: Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VCC  
VCANH  
VCANL  
VTxD  
VRxD  
VS  
VREF  
Vtran(CANH)  
Vtran(CANL)  
Parameter  
Supply voltage  
Conditions  
Min.  
-0.3  
-45  
Max.  
+7  
+45  
+45  
VCC + 0.3  
VCC + 0.3  
VCC + 0.3  
VCC + 0.3  
+150  
Unit  
V
V
V
V
V
V
V
V
DC voltage at pin CANH  
DC voltage at pin CANL  
DC voltage at pin TxD  
DC voltage at pin RxD  
DC voltage at pin S  
DC voltage at pin VREF  
Transient voltage at pin CANH  
Transient voltage at pin CANL  
0 < VCC < 5.25V; no time limit  
0 < VCC < 5.25V; no time limit  
-45  
-0.3  
-0.3  
-0.3  
-0.3  
-150  
-150  
-4  
Note 1  
Note 1  
Note 2  
Note 4  
+150  
+4  
+750  
V
kV  
V
Vesd  
Electrostatic discharge voltage at all pins  
-750  
Latch-up  
Static latch-up at all pins  
Note 3  
100  
mA  
Tstg  
Tamb  
Tjunc  
Storage temperature  
Ambient temperature  
Maximum junction temperature  
-55  
-40  
-40  
+155  
+125  
+150  
°C  
°C  
°C  
Notes:  
1.  
2.  
3.  
4.  
Applied transient waveforms in accordance with ISO 7637 part 3, test pulses 1, 2, 3a, and 3b (see Figure 4).  
Standardized human body model ESD pulses in accordance to MIL883 method 3015.7.  
Static latch-up immunity: static latch-up protection level when tested according to EIA/JESD78.  
Standardized charged device model ESD pulses when tested according to EOS/ESD DS5.3-1993.  
8.3 Thermal Characteristics  
Table 5: Thermal Characteristics  
Symbol  
Rth(vj-a)  
Parameter  
Conditions  
In free air  
In free air  
Value  
150  
45  
Unit  
K/W  
K/W  
Thermal resistance from junction to ambient in SO8 package  
Thermal resistance from junction to substrate of bare die  
Rth(vj-s  
)
AMI Semiconductor – October 07, Rev. 1.0  
5
www.amis.com Specifications subject to change without notice  
12345678...12

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