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08051J0R5BBS

更新时间： 2024-02-29 02:19:56

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恩智浦 - NXP		/
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25页	1134K
描述
Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor

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08051J0R5BBS 数据手册

TYPICAL CHARACTERISTICS — 750 MHz

= 12 Vdc, I = 130 mA, 25C

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f, FREQUENCY (MHz)

Figure 11. Input Return Loss versus Frequency

Figure 10. Small--Signal Gain versus Frequency

= 12 Vdc, I = 130 mA, 25C

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f, FREQUENCY (MHz)

Figure 12. Output Return Loss versus Frequency

MRFG35010ANT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

1...7 8 91011 12 13...25

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