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02N5818-F

更新时间： 2024-01-24 01:19:24

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RECTRON		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	87K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41,

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02N5818-F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.72
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

02N5818-F 数据手册

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( 02N5817 THRU 02N5819 )

0.20

0.15

0.10

0.05

1.0

0.1

Single

Half Wave 60HZ

Resistive or

= 25 ^OC

Inductive Load

0.375" (9.5mm) Lead Length

Pulse Width = 300mS

1% Duty Cycle

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9 1.1

1.3 1.5

1.7 1.9

2.1

100

125

150

175

AMBIENT TEMPERATURE, (^OC)

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)

FIG.2 TYPICAL INSTANTANEOUS

FORWARD CHARACTERISTICS

FIG.1 TYPICAL FORWARD CURRENT

DERATING CURVE

400

200

100

= 25 ^OC

= 125 ^OC

100

1.0

0.1

= 75

^OC

25 ^OC

0.01

0.001

100

120

140

0.1

0.4

1.0

PERCENT RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)

REVERSE VOLTAGE, (V)

FIG.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

FIG.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

8.3mS Single Half Sine-Wave

JEDEC Method

80 100

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

FIG.5 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT

123 4 5

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与02N5818-F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
02N5818-T	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41,	获取价格
02N5819	RECTRON	LOW Vf SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 0.2 Ampere	获取价格
02N5819-E	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41,	获取价格
02N5819-T	RECTRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41,	获取价格
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