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ZXTN4000Z

更新时间： 2024-01-19 22:59:25
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美台 - DIODES 晶体晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
5页 118K
描述
60V NPN LED DRIVING TRANSISTOR IN SOT89

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ZXTN4000Z 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.76
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZXTN4000Z 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
ZXTN4000Z  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 7)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
60  
60  
7
Typ  
Max  
-
-
Unit  
V
Test Condition  
IC = 100µA  
V
IC = 10mA  
IE = 100µA  
VCB = 60V  
VEB = 7V  
8.3  
-
V
-
-
-
50  
50  
nA  
nA  
Emitter Cut-off Current  
-
IEBO  
I
I
C = 85mA, VCE = 0.1V  
C = 150mA, VCE = 0.15V  
60  
100  
-
-
-
-
Static Forward Current Transfer Ratio (Note 7)  
-
hFE  
Base-Emitter Turn-On Voltage (Note 7)  
-
-
-
-
-
-
-
0.76  
300  
292  
805  
226  
25  
0.95  
V
VBE(on)  
t(d)  
IC = 150mA, VCE = 0.15V  
Delay Time  
Rise Time  
-
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t(r)  
V
CC = 48V, IC = 150mA,  
Storage Time  
Fall Time  
-IB2 = 1.5mA, VCE(ON) = 0.15V  
t(s)  
t(f)  
Storage Time  
Fall Time  
t(s)  
V
CC = 48V, IC = 150mA,  
202  
-IB2 = 1.5mA, VCE(ON) = 4V  
t(f)  
Notes:  
7. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
-55°C  
250  
200  
150  
100  
50  
VCE=0.15V  
VCE=0.15V  
125°C  
25°C  
85°C  
25°C  
-55°C  
125°C  
85°C  
0
100µ  
1m  
10m  
100m  
100µ  
1m  
10m  
100m  
IC Collector Current (A)  
IC Collector Current (A)  
hFE v IC  
VBE(on) v IC  
25  
20  
15  
10  
5
f = 1MHz  
Cobo  
0
100m  
1
10  
Voltage(V)  
Capacitance v Voltage  
3 of 5  
www.diodes.com  
January 2012  
© Diodes Incorporated  
ZXTN4000Z  
Datasheet Number: DS35676 Rev. 1 - 2  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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