Z0109NN5AA4

更新时间： 2024-01-27 20:53:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发装置可控硅三端双向交流开关光电二极管
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1A TRIACS

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Z0109NN5AA4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
其他特性：	SENSITIVE GATE	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	换向电压的临界上升率-最小值：	2 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us	最大直流栅极触发电流：	10 mA
最大直流栅极触发电压：	1.3 V	最大维持电流：	10 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1 A	断态重复峰值电压：	800 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

Z0109NN5AA4 数据手册

Z01

Figure 7: Non-repetitive surge peak on-state

current for a sinusoidal pulse with width t_p< 10 ms

and corresponding value of I²t

Figure 8: On-state characteristics (maximum

values)

I (A)

(A), I t (A s)

TSM

10.0

100.0

10.0

1.0

initial = 25°C

dI/dt limitation:

20A/µs

TSM

= T max.

1.0

T_j=max.

V_t0=0.95 V

R_d=420 mΩ

= 25°C

(ms)

(V)

0.1

0.01

0.1

0.10

1.00

10.00

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

Figure 9: Relative variation of critical rate of

decrease of main current versus (dV/dt)c

(typical values)

Figure 10: Relative variation of critical rate of

decrease of main current versus junction

temperature

(dI/dt)c [T ] / (dI/dt)c [T Specified]

(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

Z0109

Z0103

0.6

0.4

0.2

0.0

Z0107

Z0110

(dV/dt)c (V/µs)

T (°C)

0.1

1.0

10.0

100.0

100

125

Figure 11: SOT-223 Thermal resistance junction

to ambient versus copper surface under tab

(printed circuit board FR4, copper thickness:

35 µm)

(°C/W)

th(j-a)

130

120

110

100

S(cm²)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

4/8

1 2 345 6 7 8

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