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Z0109NA,116

更新时间： 2024-02-14 04:59:31

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恩智浦 - NXP		可控硅三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
14页	796K
描述
Logic level four-quadrant triac

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技术参数
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Z0109NA,116 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	,
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	最大直流栅极触发电流：	10 mA
最大直流栅极触发电压：	1.3 V	最大维持电流：	10 mA
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.5 mA
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大均方根通态电流：	1 A	断态重复峰值电压：	800 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

Z0109NA,116 数据手册

Z0109NA

NXP Semiconductors

4Q Triac

4. Limiting values

Table 4.

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol

V_DRM

Parameter

Conditions

Min

Max

800

Unit

repetitive peak off-state voltage

RMS on-state current

I_T(RMS)

full sine wave; T_lead≤ 45 °C;

see Figure 3; see Figure 1; see Figure 2

I_TSM

non-repetitive peak on-state

current

full sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 20 ms; see Figure 4; see Figure 5

full sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 16.7 ms

8.5

I²t

I²t for fusing

t_p= 10 ms; sine-wave pulse

0.32

A²s

dI_T/dt

rate of rise of on-state current

I_T= 1 A; I_G= 20 mA; dI_G/dt = 0.1 A/µs;

T2+ G+

A/µs

I_T= 1 A; I_G= 20 mA; dI_G/dt = 0.1 A/µs;

T2+ G-

A/µs

I_T= 1 A; I_G= 20 mA; dI_G/dt = 0.1 A/µs;

T2- G-

I_T= 1 A; I_G= 20 mA; dI_G/dt = 0.1 A/µs;

T2- G+

I_GM

peak gate current

peak gate power

P_GM

P_G(AV)

T_stg

T_j

°C

average gate power

storage temperature

junction temperature

over any 20 ms period

0.1

150

125

-40

003aac264

003aaf977

1.2

T(RMS)

(A)

T(RMS )

(A)

0.8

0.4

-2

-1

-50

100

150

( C)

surge duration (s)

lead

Fig 1. RMS on-state current as a function of lead

temperature; maximum values

Fig 2. RMS on-state current as a function of surge

duration; maximum values

Z0109NA

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Product data sheet

Rev. 05 — 21 March 2011

3 of 14

1 234 5 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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