Z0107NA,116

更新时间： 2024-01-06 17:40:21

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恩智浦 - NXP		栅极触发装置可控硅三端双向交流开关
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14页	673K
描述
Logic level four-quadrant triac

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Z0107NA,116 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.59
其他特性：	SENSITIVE GATE	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大均方根通态电流：	1 A	参考标准：	IEC-60134
断态重复峰值电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

Z0107NA,116 数据手册

Z0107NA

NXP Semiconductors

4Q Triac

6. Characteristics

Table 6.

Symbol

Characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Static characteristics

I_GTgate trigger current

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2+ G+; T_j= 25 °C;

see Figure 7

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2+ G-; T_j= 25 °C;

see Figure 7

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2- G-; T_j= 25 °C;

see Figure 7

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2- G+; T_j= 25 °C;

see Figure 7

I_L

latching current

V_D= 12 V; I_G= 0.1 A; T2+ G+; T_j= 25 °C;

see Figure 8

V_D= 12 V; I_G= 0.1 A; T2+ G-; T_j= 25 °C;

see Figure 8

V_D= 12 V; I_G= 0.1 A; T2- G-; T_j= 25 °C;

see Figure 8

V_D= 12 V; I_G= 0.1 A; T2- G+; T_j= 25 °C;

see Figure 8

I_H

holding current

V_D= 12 V; T_j= 25 °C; see Figure 9

I_T= 1 A; T_j= 25 °C; see Figure 10

V_T

V_GT

on-state voltage

gate trigger voltage

1.3

1.6

1.3

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T_j= 25 °C;

see Figure 11

V_D= 800 V; I_T= 0.1 A; T_j= 125 °C

V_D= 800 V; T_j= 125 °C

0.2

I_D

off-state current

0.5

Dynamic characteristics

dV_D/dt

rate of rise of off-state V_DM= 536 V; T_j= 110 °C; exponential

V/µs

voltage

waveform; gate open circuit; see Figure 12

dV_com/dt

rate of change of

commutating voltage

V_D= 400 V; T_j= 110 °C;

dI_com/dt = 0.44 A/ms; I_T= 1 A; gate open

circuit

Z0107NA

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Product data sheet

Rev. 04 — 22 March 2011

7 of 14

1...4 5 678 9 10...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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