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Z00607MA1BA2-ND

更新时间： 2024-01-17 19:05:22

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可控硅
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7页	87K
描述
Standard 0.8 A Triacs

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Z00607MA1BA2-ND 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	Factory Lead Time：	7 weeks
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	SENSITIVE GATE	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	1.5 V/us	关态电压最小值的临界上升速率：	10 V/us
最大直流栅极触发电流：	7 mA	最大直流栅极触发电压：	1.3 V
最大维持电流：	5 mA	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.1 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	0.8 A	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

Z00607MA1BA2-ND 数据手册

Z00607

Characteristcs

Figure 1.

Maximum power dissipation

versus RMS on-state current

(full cycle)

Figure 2.

Relative variation of gate trigger

current, holding current and

latching current versus junction

temperature (typical values)

P(W)

, I , I [T ] / I , I , I [T =25°C]

1.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

& I

T (°C)

(A)

T(RMS)

0.0

-40

-20

100

120

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

Figure 3.

Surge peak on-state current versus Figure 4.

number of cycles

Non-repetitive surge peak

on-state current for a sinusoidal

pulse with width t < 10 ms and

corresponding value of I t

2 2

(A), I t (A s)

TSM

(A)

TSM

200.0

100.0

initial = 25°C

t=20ms

dI/dt limitation:

20A/µs

One cycle

TSM

Non repetitive

initial = 25°C

10.0

1.0

Repetitive

= 25°C

amb

(ms)

Number of cycles

0.1

0.01

0.10

1.00

10.00

100

1000

Figure 5.

On-state characteristics

(maximum values)

Figure 6.

Relative variation of critical rate

of decrease of main current versus

(dV/dt)c (typical values)

(A)

(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

= T max.

1.0

T_j=max.

V_t0=0.95 V

R_d=420 mΩ

= 25°C

(V)

(dV/dt)c (V/µs)

0.1

1.0

10.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

3/7

1 234 5 6 7

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