XIT1750

更新时间： 2024-02-29 22:45:36

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CALOGIC		晶体开关放大器小信号场效应晶体管
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描述
N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier Switch

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XIT1750 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	UNCASED CHIP, X-XUUC-N4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.90.00.00	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	50 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	1.6 pF	JESD-30 代码：	X-XUUC-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.375 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

XIT1750 数据手册

N-Channel

Enhancement Mode MOSFET

General Purpose Amplifier Switch

CORPORATION

IT1750

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_A= 25^oC unless otherwise specified)

Low ON Resistance

Low C_dg

High Gain

Low Threshold Voltage

•

Drain-Source and Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . 25V

Peak Gate-Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . ±125V

Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -65^oC to +150^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375mW

Derate above 25^oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3mW/^oC

•

PIN CONFIGURATION

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

TO-72

ORDERING INFORMATION

Part

Package

Temperature Range

IT1750

XIT1750

Hermetic TO-72

Sorted Chips in Carriers

-55^oC to +150^oC

1003

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC, Body connected to Source and V_BS= 0 unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

MIN

MAX

3.0

UNITS

TEST CONDITIONS

V_DS= V_GS, I_D= 10µA

V_GS(th)

Gate to Source Threshold Voltage

0.50

I_DSS

I_GSS

BV_DSS

r_DS(on)

I_D(on)

Y_fs

Drain Leakage Current

Gate Leakage Current

Drain Breakdown Voltage

Drain to Source on Resistance

Drain Current

V_DS= 10V, V_GS= 0

(See note 2)

ohms

µS

I_D= 10µA, V_GS= 0

V_GS= 20V

V_DS= V_GS=10V

Forward Transadmittance

Total Gate Input Capacitance

Gate to Drain Capacitance

V_DS= 10V, I_D= 10mA, f = 1kHz

I_D= 10mA, V_DS= 10V, f = 1MHz (Note 3)

V_DG= 10V, f = 1MHz (Note 3)

3,000

C_iss

6.0

1.6

C_dg

NOTES: 1. Devices must not be tested at ±125V more than once nor longer than 300ms.

2. Actual gate current is immeasurable. Package suppliers are required to guarantee a package leakage of < 10pA.

External package leakage is the dominant mode which is sensitive to both transient and storage environment, which cannot be guaranteed.

3. For design reference only, not 100% tested.

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