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XC6104F645ML

更新时间： 2024-01-25 09:17:55
品牌 Logo 应用领域
特瑞仕 - TOREX 光电二极管
页数 文件大小 规格书
27页 411K
描述
Power Supply Management Circuit, Fixed, 1 Channel, CMOS, PDSO5, SOT-25, 5 PIN

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XC6104F645ML 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LSSOP,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84其他特性：DETECT VOLTAGE IS 4.5 V
可调阈值：NO模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDSO-G5长度：2.9 mm
湿度敏感等级：1信道数量：1
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260座面最大高度：1.3 mm
最大供电电压 (Vsup)：6 V最小供电电压 (Vsup)：1 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
宽度：1.6 mm

XC6104F645ML 数据手册

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XC6101 ~ XC6107, XC6111~ XC6117  
Series  
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
●XC6101~XC6107, XC6111~XC6117 Series  
Ta = 25 OC  
PARAMETER  
Detect Voltage  
SYMBOL  
VDFL  
CONDITIONS  
MIN.  
VDF(T)  
× 0.98  
VDF  
TYP.  
VDF(T)  
VDF  
MAX.  
VDF(T)  
× 1.02  
VDF  
UNITS CIRCUIT  
V
V
V
①
①
①
VDFH  
Hysteresis Width  
XC6101~XC6107 (*1)  
Hysteresis Width  
VHYS  
× 0.02 × 0.05 × 0.08  
VDF  
VDF  
XC6111~XC6117 (*2)  
× 0.001 x 0.01  
VHYS  
0
XC61X1/XC61X2/XC61X3  
XC61X4/XC61X5 (*3)  
(The MRB & the WD Pin:  
No connection)  
VIN=VDF(T)×0.9V  
VIN=VDF(T)×1.1V  
VIN=6.0V  
-
-
-
-
-
5
10  
12  
4
11  
16  
18  
10  
14  
Supply Current  
ISS  
VIN  
μA  
V
②
XC61X6/XC61X7 (*3)  
(The MRB Pin:  
VIN=VDF(T)×0.9V  
VIN=VDF(T)×1.1V  
VIN=6.0V  
8
No connection)  
-
10  
-
0.5  
16  
6.0  
-
Operating Voltage  
1.0  
0.15  
①
③
VIN=1.0V  
VIN=2.0V (VDFL(T)> 2.0V)  
VIN=3.0V (VDFL(T) >3.0V)  
VIN=4.0V (VDFL(T) >4.0V)  
2.0  
3.0  
3.5  
2.5  
3.5  
4.0  
-
-
-
N-ch.  
VDS = 0.5V  
VDFL  
Output Current  
(RESETB)  
IRBOUT  
mA  
CMOS,  
P-ch  
VIN=6.0V  
-
- 1.1  
-0.8  
④
③
VDS = 0.5V  
N-ch  
VIN=6.0V  
4.4  
4.9  
-
VDS = 0.5V  
VIN=1.0V  
VIN=2.0V (VDFH(T)> 2.0V)  
VIN=3.0V (VDFH(T)>3.0V)  
VIN=4.0V (VDFH(T)>4.0V)  
-
-
-
-
- 0.08  
- 0.50  
- 0.75  
- 0.95  
- 0.02  
- 0.30  
- 0.55  
- 0.75  
VDFH  
Output Current  
(RESET)  
IROUT  
mA  
P-ch.  
VDS = 0.5V  
④
①
Temperature  
Coefficient  
△VDF /  
(△Ta・VDF)  
-40OC < Topr < 85 OC  
-
+100  
-
ppm/ OC  
2
3.13  
25  
5
18  
31  
Time until VIN is increased from  
1.0V to 2.0V  
and attains to the release time level,  
and the Reset output pin inverts.  
37  
50  
63  
Release Delay Time  
(VDF<1.8V)  
TD R  
ms  
⑤
75  
100  
200  
400  
125  
250  
500  
150  
300  
1200  
2
1600  
3.13  
2000  
5
18  
37  
25  
50  
31  
63  
Time until VIN is increased from  
1.0V to (VDFx1.1V)  
and attains to the release time level,  
and the Reset output pin inverts.  
Release Delay Time  
(VDF>1.9V)  
TD R  
ms  
⑤
⑤
75  
100  
200  
400  
1600  
125  
250  
500  
2000  
150  
300  
1200  
Time until VIN is decreased from 6.0V to  
1.0V and attains to the detect voltage  
level, and the Reset output pin detects  
while the WD pin left opened.  
Detect Delay Time  
TD F  
-
3
30  
μs  
VDFL/VDFH  
CMOS Output  
Leak Current  
VDFL N-ch Open Drain  
Output  
VIN=6.0V, RESETB=6.0V (VDFL)  
VIN=6.0V, RESET=0V (VDFH)  
ILEAK  
ILEAK  
-
-
0.01  
0.01  
-
μA  
μA  
③
③
VIN=6.0V, RESETB=6.0V  
0.10  
Leak Current  
NOTE:  
*1: XC6101~XC6107 (with hysteresis)  
*2: XC6111~XC6117 (without hysteresis)  
*3: ‘X’ represents both ‘0’ and ‘1’. (ex. XC61X1⇒XC6101 and XC6111)  
*4: VDF(T): Setting detect voltage  
*5: If only “VDF” is indicated, it represents both VDFL (low when detected) and VDFH (high when detected).  
7/27  
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