5秒后页面跳转
X00619MA1AA2 PDF预览

X00619MA1AA2

更新时间: 2024-02-16 22:13:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
10页 183K
描述
0.8 A sensitive gate SCR

X00619MA1AA2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.63配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:40 V/us最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:5 mA
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
通态非重复峰值电流:9 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:500 A
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:0.8 A
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

X00619MA1AA2 数据手册

 浏览型号X00619MA1AA2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号X00619MA1AA2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号X00619MA1AA2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号X00619MA1AA2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号X00619MA1AA2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号X00619MA1AA2的Datasheet PDF文件第7页 
Characteristics  
X00619  
Figure 5.  
Relative variation of thermal  
Figure 6.  
Relative variation of gate trigger,  
impedance junction to ambient  
versus pulse duration  
holding and latching current versus  
junction temperature  
I
,I ,I [T ] / I ,I ,I [T =25°C]  
GT  
H
L
j
GT  
H
L
j
Z
/R  
th(j-a) th(j-a)  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
1.00  
0.10  
0.01  
Typical values  
TO-92  
SCU= 0.5 cm²  
IH and IL  
SOT-223  
CU= 5 cm²  
S
IGT  
t (s)  
p
T (°C)  
j
1.0E-02  
1.0E-01  
1.0E+00  
1.0E+01  
1.0E+02  
1.0E+03  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
Figure 7.  
Relative variation of holding  
current versus gate-cathode  
resistance (typical values)  
Figure 8.  
Relative variation of dV/dt immunity  
versus gate-cathode resistance  
(typical values)  
I [R ] / I [R =1kΩ]  
dV/dt[R ] / dV/dt[R =1kΩ]  
GK GK  
H
GK  
H
GK  
100.0  
10.0  
1.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
VD= 0.67xVDRM  
R (kΩ)  
GK  
R
GK  
(kΩ)  
0.1  
1.E-02  
1.E-01  
1.E+00  
1.E+01  
1.E+02  
1.0E-01  
1.0E+00  
1.0E+01  
Figure 9.  
Relative variation of dV/dt immunity Figure 10. Surge peak on-state current versus  
versus gate-cathode capacitance  
(typical values)  
number of cycles  
I
(A)  
TSM  
dV/dt[C ] / dV/dt[R =1kΩ]  
GK  
GK  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
100  
VD= 0.67xVDRM  
Non repetitive  
Tj initial=25 °C  
Rgk = 1 kΩ  
tp=10ms  
One cycle  
10  
Repetitive  
Tl= 25 °C  
Number of cycles  
10  
C (nF)  
GK  
1
1
10  
1
100  
1000  
4/10  
Doc ID 15755 Rev 2  

与X00619MA1AA2相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
X00619MA2AL2 STMICROELECTRONICS 0.8 A sensitive gate SCR

获取价格

X00619MA5AL2 STMICROELECTRONICS 0.8 A sensitive gate SCR

获取价格

X00619MN5AL2 STMICROELECTRONICS 0.8 A sensitive gate SCR

获取价格

X0063AD4 XFMRS ASDL INDUCTOR

获取价格

X0065CE ETC

获取价格

X0105DN SUNTAC Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier

获取价格