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X00602MN5BA4

更新时间： 2024-02-01 08:49:44

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可控硅栅
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9页	109K
描述
0.8 A sensitive gate SCRs

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X00602MN5BA4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SOT-223, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.8
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	25 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.1 mA	湿度敏感等级：	1
通态非重复峰值电流：	10 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	500 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.8 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

X00602MN5BA4 数据手册

X006

Characteristics

Figure 11. Relative variation of dV/dt immunity Figure 12. Relative variation of dV/dt immunity

versus gate-cathode resistance

(typical values)

versus gate-cathode capacitance

(typical values)

dV/dt[R ] / dV/dt[R =1kΩ]

dV/dt[C ] / dV/dt[R =1kΩ]

GK GK

100.0

10.0

1.0

100

V_D= 0.67 x V_DRM

R_GK= 1kΩ

V_D= 0.67 x V_DRM

(nF)

(kΩ)

0.1

1.0E-01

1.0E+00

1.0E+01

Figure 13. Surge peak on-state current versus Figure 14. Non repetitive surge peak on-state

number of cycles

current for a sinusoidal pulse with

width t_P< 10ms, and corresponding

value of I²t

(A), I²t (A²s)

I (A)

TSM

1.E+02

1.E+01

1.E+00

1.E-01

T_jinitial = 25°C

I_TSM

t_p=10ms

One cycle

Non repetitive

T_jinitial=25°C

Repetitive

T_C=25°C

I²t

t (ms)

Number of cycles

100

1000

0.01

0.10

1.00

10.00

Figure 15. On-state characteristics (maximum values)

(A)

10.00

1.00

0.10

0.01

T_jmax.:

V_t0=0.85V

R_d=245mΩ

T_j=125°C

T_j=25°C

(V)

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0

5/9

1 2 3 456 7 8 9

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