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X00602MN1AA2

更新时间： 2024-01-11 15:32:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅栅极
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9页	106K
描述
0.8A, 600V, SCR, TO-92, PLASTIC, 3 PIN

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X00602MN1AA2 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	0.8 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
触发设备类型：	SCR

X00602MN1AA2 数据手册

Characteristics

X006

Characteristics

Table 1.

Symbol

Absolute ratings (limiting values)

Parameter

Value

Unit

TO-92

T_l= 85 °C

I_T(RMS)RMS on-state current (180 °Conduction angle)

IT_(AV)Average on-state current (180 °Conduction angle)

0.8

SOT-223

TO-92

T_tab= 100 °C

T_l= 85 °C

0.5

SOT-223

t_p= 8.3 ms

t_p= 10 ms

T_tab= 100 °C

I_TSM

Non repetitive surge peak on-state current

T_j= 25 °C

I t

I t Value for fusing

t_p= 10 ms T_j= 25 °C

F = 60 Hz T_j= 125 °C

0.4

A²S

Critical rate of rise of on-state current

_G= 2 x I_GT, t_r≤ 100 ns

dI/dt

I_GM

A/µs

Peak gate current

t_p= 20 µs

T_j= 125 °C

P_G(AV)Average gate power dissipation

0.1

T_stg

T_j

Storage junction temperature range

Operating junction temperature range

- 40 to + 150

- 40 to + 125

°C

Table 2.

Symbol

Electrical characteristics

Test Conditions

Value

Unit

MIN.

MAX.

MIN.

200

0.8

0.2

I_GT

µA

V_D= 12 V, R_L= 140 Ω

V_GT

V_GD

V_RG

I_H

V_D= V_DRM,R_L= 3.3 kΩ , R_GK= 1 kΩ

I_RG= 10 µA

T_j= 125 °C

MIN.

I_T= 50 mA, R_GK= 1 kΩ

I_G= 1 mA, R_GK= 1 kΩ

V_D= 67% V_DRM,R_GK= 1 kΩ

I_TM= 1 A, tp = 380 µs

Threshold voltage

MAX.

MIN.

V/µs

I_L

dV/dt

V_TM

V_t0

T_j= 125 °C

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

MAX.

1.35

0.85

245

R_d

Dynamic resistance

mΩ

I_DRM

I_RRM

V_DRM= V_{RRM ,}R_GK= 1 kΩ

µA

100

2/9

123 4 5 6 7...9

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