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X00602MA1AA2

更新时间： 2024-02-20 19:28:38

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可控硅
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5页	75K
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0.8A SCRs

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X00602MA1AA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.12
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	25 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	9 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	500 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.8 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

X00602MA1AA2 数据手册

X00602MA

Fig. 1: Maximum average power dissipation

Fig. 2-1: Average and D.C. on-state current

versus average on-state current.

versus lead temperature.

P(W)

IT(av)(A)

0.65

1.1

D.C.

α = 180°

0.60

1.0

0.9

0.8

0.7

0.55

0.50

0.45

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.6

α = 180°

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

360°

Tlead(°C)

50 75

IT(av)(A)

0.05

0.00

100

125

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

Fig. 2-2: Average and D.C. on-state current

versus ambient temperature (device mounted on

FR4 with recommended pad layout).

Fig. 3: Relative variation of thermal impedance

junction to ambient versus pulse duration.

K = [Zth(j-a)/Rth(j-a)]

IT(av)(A)

1.00

1.0

0.9

D.C.

0.8

0.7

0.6

α = 180°

0.5

0.4

0.3

0.2

0.10

0.1

0.0

Tamb(°C)

tp(s)

0.01

100

125

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2 5E+2

Fig. 4: Relative variation of gate trigger current,

holding current and latching current versus

junction temperature.

Fig. 5: Relative variation of holding current

versus gate-cathode resistance (typical values).

IH[Rgk]/IH[Rgk=1kΩ]

IGT, IH, IL[Tj] / IGT, IH, IL[Tj = 25°C]

3.5

1.6

1.4

1.2

1.0

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.8

IH & IL

0.6

0.4

0.2

0.0

IGT

0.5

Tj(°C)

40 60

Rgk(kΩ)

0.0

1E-2

-40 -20

80 100 120 140

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2

3/5

1 234 5

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