是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.63 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16 | JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 35.18 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 16 | 混合内存类型: | FLASH+SRAM |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX16 | |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA66,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.7 mm | 最大待机电流: | 0.045 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.33 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 35.18 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WSF512K16-72H2I | WEDC |
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512KX16 SRAM/FLASH MODULE, SMD 5962-96901 | |
WSF512K16-72H2I | MICROSEMI |
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Memory Circuit, 512KX16, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-6 | |
WSF512K16-72H2IA | WEDC |
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512KX16 SRAM/FLASH MODULE, SMD 5962-96901 | |
WSF512K16-72H2IA | MICROSEMI |
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Memory Circuit, 512KX16, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-6 | |
WSF512K16-72H2M | WEDC |
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512KX16 SRAM/FLASH MODULE, SMD 5962-96901 | |
WSF512K16-72H2M | MICROSEMI |
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Memory Circuit, 512KX16, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-6 | |
WSF512K16-72H2MA | MICROSEMI |
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Memory Circuit, 512KX16, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-6 | |
WSF512K16-72H2MA | WEDC |
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512KX16 SRAM/FLASH MODULE, SMD 5962-96901 | |
WSF512K16-90G2C | WEDC |
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512KX16 SRAM/FLASH MODULE, SMD 5962-96901 | |
WSF512K16-90G2CA | WEDC |
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512KX16 SRAM/FLASH MODULE, SMD 5962-96901 |