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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.31 | 最长访问时间： | 85 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACK-UP OPERATION | JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 |
| 长度： | 42.4 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS-256K8-85CM | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| WS256K8-85CQ | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| WS25-75-C | PANDUIT |
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ELECTRICAL SOLUTIONS |
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| WS27C010 | ETC |
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| WS27C010L | STMICROELECTRONICS |
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Military 128K x 8 CMOS EPROM |
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| WS27C010L-12CMB | STMICROELECTRONICS |
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Military 128K x 8 CMOS EPROM |
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| WS27C010L-12DMB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Military 128K x 8 CMOS EPROM |
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| WS27C010L-15CMB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Military 128K x 8 CMOS EPROM |
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| WS27C010L-15DMB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Military 128K x 8 CMOS EPROM |
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| WS27C010L-17CMB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Military 128K x 8 CMOS EPROM |
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