生命周期: | Transferred | 包装说明: | 22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.57 |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | ALSO CONFIGURABLE AS 512K X 8 |
备用内存宽度: | 16 | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | S-CQFP-G68 | 长度: | 22.36 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 68 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX32 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP68,.99SQ,50 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.0025 A |
最大压摆率: | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 22.36 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WE128K32P-150G2TMA | WEDC |
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128Kx32 EEPROM MODULE, SMD 5962-94585 | |
WE128K32P150G2TQ | WEDC |
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EEPROM Module, 128KX32, 150ns, Parallel, CMOS, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, C | |
WE128K32P-150G2TQ | WEDC |
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128Kx32 EEPROM MODULE, SMD 5962-94585 | |
WE128K32P-150G2TQ | MERCURY |
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EEPROM Module, | |
WE128K32P150G2TQA | WEDC |
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EEPROM Module, 128KX32, 150ns, Parallel, CMOS, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, C | |
WE128K32P-150G2TQA | WEDC |
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128Kx32 EEPROM MODULE, SMD 5962-94585 | |
WE128K32P-150G2TQA | MERCURY |
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EEPROM Module, | |
WE128K32P-150G4C | ETC |
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EEPROM | |
WE128K32P-150G4CA | ETC |
获取价格 |
EEPROM | |
WE128K32P-150G4I | ETC |
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EEPROM |