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W01

更新时间： 2024-01-06 15:07:09

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2页	74K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS Reverse Voltage - 50 to 100 0 Volts

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W01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PBCY-W4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	50 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PBCY-W4
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大重复峰值反向电压：	50 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

W01 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES W005 THRU W10

FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE

FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD

SURGE CURRENT

1.5

1.2

0.9

0.6

0.3

Single Phase

Half Wave 60Hz

Resistive or

inductive Load

8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE

(JEDEC Method)

100

125

150

175

100

AMBIENT TEMPERATURE,

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

CHARACTERISTICS

FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

1,000

100

0.1

TJ=100 C

TJ=25 C

PULSE WIDTH=300 µs

1%DUTY CYCLE

TJ=25 C

0.1

0.01

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.5

100

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,

VOLTS

PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%

FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE

200

100

TJ=25 C

0.1

0.01

0.1

100

0.1

1.0

100

REVERSE VOLTAGE,VOLTS

t,PULSE DURATION,sec.

MDD ELECTRONIC

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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