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UT2321L-AE3-R

更新时间： 2024-02-20 02:13:50

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友顺 - UTC		晶体晶体管场效应晶体管
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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UT2321L-AE3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.72
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15.2 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UT2321L-AE3-R 数据手册

UT2321

Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D

RATINGS

-20

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±12

-3.8

Continuous Drain Current (Note 2)

Pulsed Drain Current (Note 2)

Power Dissipation

I_DM

-15.2

1.25

P_D

°C

Junction Temperature

T_J

+150

Storage Temperature

T_STG

-55 ~ +150

°C

Note:1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. Pulse width limited by T_J(MAX)

THERMAL DATA

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

100

UNIT

°C/W

Junction to Ambient

θ_JA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V, I_D=-250µA

-20

V_DS=-16V, V_GS=0V

V_GS=12V, V_DS=0V

V_GS=-12V, V_DS=0V

-1

µA

Forward

100

-100

Gate-Source Leakage Current

I_GSS

Reverse

ON CHARACTERISTICS(Note)

Gate-Threshold Voltage

V_GS(TH)

R_DS(ON)

V_DS=V_GS, I_D=-250µA

V_GS=-4.5V, I_D=-2.4A

V_GS=-2.5V, I_D=-2.0A

-0.4

-1.0

mΩ

Static Drain-Source On-Resistance

DYNAMIC PARAMETERS

Input Capacitance

C_ISS

C_OSS

C_RSS

1500

270

V_DS=-10 V, V_GS=0V, f=1.0MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING PARAMETERS

Total Gate Charge

185

Q_G

Q_GS

Q_GD

t_D(ON)

t_R

14.8

2.8

4.4

V_DS=-10V, V_GS=-4.5V, I_D=-2.4A

V_DD=-10V, I_D=-1A, V_GS=-4.5V,

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Turn-ON Delay Time

Turn-ON Rise Time

R_GEN=6 ꢀ

Turn-OFF Delay Time

Turn-OFF Fall-Time

t_D(OFF)

t_F

256

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Diode Forward Voltage(Note)

Maximum Body-Diode Continuous

Current

V_SD

V_GS=0V, I_S=-0.42A

-1.2

I_S

-0.42

Note: Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

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QW-R502-249.D

123 4

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