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UPD42S4800G5-10-7JD

更新时间: 2024-02-18 23:42:18
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
30页 458K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

UPD42S4800G5-10-7JD 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:100 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G28长度:18.41 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD42S4800G5-10-7JD 数据手册

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