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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 0.600 INCH, DIP-24 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.85 | 最长访问时间： | 120 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.72 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UPD4016D-1 | RENESAS | IC,SRAM,2KX8,MOS,DIP,24PIN,CERAMIC |
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| UPD4016D-3 | RENESAS | IC,SRAM,2KX8,MOS,DIP,24PIN,CERAMIC |
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| UPD410 | ETC |
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| UPD4104 | ETC |
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| UPD4104C-3 | RENESAS | IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
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| UPD4104C-30 | RENESAS | IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
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