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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 300 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-XDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.021 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UPD4104D-3 | RENESAS | IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| UPD4104D-30 | RENESAS | IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| UPD4104D-32 | RENESAS | IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| UPD4104D-33 | RENESAS | IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| UPD4104D-35 | RENESAS | IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| UPD4104D-36 | RENESAS | IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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