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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> ULN2803A
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ULN2803A

更新时间： 2024-02-01 10:52:34
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 240K
描述
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

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ULN2803A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOIC-18
针数：18Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：8 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTORJEDEC-95代码：MS-013AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G18JESD-609代码：e0
元件数量：8端子数量：18
最高工作温度：85 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：1.6 VBase Number Matches：1

ULN2803A 数据手册

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ꢀ ꢁꢂ ꢃꢄꢅ ꢆꢇ  
ꢈꢇꢉ ꢁꢊ ꢂꢋ ꢌꢍ ꢂ ꢌ ꢉꢇꢂꢎ ꢊꢎꢌꢍꢉ ꢇ ꢉꢉ ꢇꢏ  
SLRS049C − FEBRUARY1997 − REVISED AUGUST 2004  
†
absolute maximum ratings at 25°C free-air temperature (unless otherwise noted)  
Collector-emitter voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 V  
Input voltage (see Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V  
Continuous collector current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mA  
Output clamp diode current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mA  
Total substrate-terminal current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −2.5 A  
Package thermal impedance, θ (see Notes 2 and 3): DW package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TBD°C/W  
JA  
N package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TBD°C/W  
Operating virtual junction temperature, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C  
J
Storage temperature range, T  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65°C to 150°C  
stg  
†
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and  
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not  
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
NOTES: 1. All voltage values, unless otherwise noted, are with respect to the emitter/substrate terminal GND.  
2. Maximum power dissipation is a function of T (max), θ , and T . The maximum allowable power dissipation at any allowable  
J
JA  
A
ambient temperature is P = (T (max) − T )/θ . Operating at the absolute maximum T of 150°C can affect reliability.  
D
J
A
JA  
J
3. The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.  
electrical characteristics at 25°C free-air temperature (unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
V
= 50 V, I = 0,  
CE  
See Figure 1  
I
I
Collector cutoff current  
50  
µA  
CEX  
V
T
A
= 50 V,  
I = 500 µA,  
C
CE  
= 70°C,  
I
I
Off-state input current  
Input current  
50  
65  
µA  
I(off)  
See Figure 2  
V = 3.85 V,  
I
See Figure 3  
0.93  
1.35  
2.4  
2.7  
3
mA  
I(on)  
I
C
I
C
I
C
I
C
= 200 mA  
= 250 mA  
= 300 mA  
= 100 mA,  
V
= 2 V,  
CE  
See Figure 4  
V
On-state input voltage  
V
V
I(on)  
I = 250 µA,  
I
0.9  
1
1.1  
1.3  
1.6  
See Figure 5  
I = 350 µA,  
I
= 200 mA,  
= 350 mA,  
I
C
C
V
Collector-emitter saturation voltage  
CE(sat)  
See Figure 5  
I = 500 µA,  
I
I
1.3  
See Figure 5  
I
Clamp diode reverse current  
Clamp diode forward voltage  
Input capacitance  
V
= 50 V,  
See Figure 6  
= 350 mA, See Figure 7  
F
50  
2
µA  
V
R
R
V
I
1.7  
15  
F
C
V = 0 V,  
I
f = 1 MHz  
25  
pF  
i
switching characteristics at 25°C free-air temperature  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
130  
20  
MAX  
UNIT  
t
t
Propagation delay time, low- to high-level output  
Propagation delay time, high- to low-level output  
PLH  
V
C
= 50 V,  
= 15 pF,  
R = 163 Ω,  
L
See Figure 8  
I ≈ 300 mA,  
O
S
L
ns  
PHL  
V
S
= 50 V,  
V
OH  
High-level output voltage after switching  
V
S
− 20  
mV  
See Figure 9  
3
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...10

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