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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | 0.016 A |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 40 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 22 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | YES | 子类别： | Gates |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TTDM54132J/883B | NSC | NAND Gate, TTL, CDIP14 |
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| TTDM54132J/883C | NSC | NAND Gate, TTL, CDIP14 |
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| TTDM54132W/883C | NSC | NAND Gate, TTL, CDFP14 |
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| TTDM5413J | TI | IC IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,STD-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC, Gate |
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| TTDM5413J/883 | TI | IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,STD-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
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| TTDM5413J/883B | TI | IC IC,LOGIC GATE,DUAL 4-INPUT NAND,STD-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC, Gate |
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