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Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> TS3DS26227YZPR
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TS3DS26227YZPR

更新时间： 2024-01-02 04:01:37
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
19页 523K
描述
HIGH-BANDWIDTH DUAL SPDT DIFFERENTIAL SIGNAL SWITCH WITH INPUT LOGIC TRANSLATION

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TS3DS26227YZPR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, BGA12,3X4,20针数：12
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.75Is Samacsys：N
其他特性：ALSO REQUIRES AN SUPPLY OF 1.65V TO 1.95V模拟集成电路 - 其他类型：SPDT
标称带宽：800 MHz最大输入电压：4.6 V
最小输入电压：JESD-30 代码：R-XBGA-B12
JESD-609代码：e1长度：1.87 mm
湿度敏感等级：1信道数量：1
功能数量：2端子数量：12
标称断态隔离度：40 dB通态电阻匹配规范：0.05 Ω
最大通态电阻 (Ron)：5.5 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：COMMON OUTPUT
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA12,3X4,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.625 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电流 (Isup)：0.0005 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES最长断开时间：5.5 ns
最长接通时间：13 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1.37 mmBase Number Matches：1

TS3DS26227YZPR 数据手册

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TS3DS26227  
SCDS224A–JUNE 2008–REVISED SEPTEMBER 2008 ................................................................................................................................................ www.ti.com  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR 2.5-V SUPPLY(1)  
V+ = 2.3 V to 2.7 V, VIO = 1.65 V to 1.95 V, TA = –40°C to 85°C (unless otherwise noted)  
PARAMETE  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TA  
V+  
MIN  
TYP  
MAX UNIT  
R
Analog Switch  
Analog signal VCOM, VNO  
,
0
V+  
V
range  
VNC  
25°C  
Full  
4
5.5  
7
ON-state  
resistance  
0 ≤ (VNO or VNC) ≤ 1.3,  
ICOM = –10 mA,  
Switch ON,  
See Figure 13  
ron  
2.3 V  
2.3 V  
Ω
ON-state  
resistance  
match  
between  
channels  
25°C  
0.05  
0.1  
VNO or VNC = 1.3 V,  
ICOM = –10 mA,  
Switch ON,  
See Figure 13  
Δron  
Ω
Ω
Full  
0.2  
ON-state  
resistance  
flatness  
25°C  
Full  
2.5  
0.1  
4
4.5  
5
0 ≤ (VNO or VNC) ≤ 1.3 V, Switch ON,  
ICOM = –10 mA,  
ron(flat)  
2.3 V  
2.7 V  
See Figure 13  
VNO or VNC = 0.2 V,  
VCOM = 2.3 V,  
or  
VNO or VNC = 2.3 V,  
VCOM = 0.2 V,  
25°C  
–5  
–15  
–5  
NC, NO  
OFF leakage  
current  
INO(OFF)  
INC(OFF)  
,
Switch OFF,  
See Figure 14  
nA  
Full  
25°C  
Full  
15  
5
VNO or VNC = 0.2 V,  
VCOM = Open,  
or  
VNO or VNC = 2.3 V,  
VCOM = Open,  
0.2  
NC, NO  
ON leakage  
current  
INO(ON)  
INC(ON)  
,
Switch ON,  
See Figure 15  
2.7 V  
2.7 V  
nA  
nA  
–20  
–1  
20  
1
VNO or VNC = Open,  
VCOM = 0.2 V,  
or  
VNO or VNC = Open,  
VCOM = 2.3 V,  
25°C  
Full  
0.05  
COM  
ON leakage  
current  
Switch ON,  
See Figure 15  
ICOM(ON)  
–10  
10  
Digital Control Inputs (IN1, IN2)(2)  
Input logic  
high  
VIH  
VIL  
VIO = 1.65 V to 1.95 V  
Full  
Full  
0.65 × VIO  
0
VIO  
V
V
Input logic  
low  
VIO = 1.65 V to 1.95 V  
VIN = VIO or 0  
0.35 × VIO  
25°C  
Full  
–1  
0.05  
1
Input leakage  
current  
IIH, IIL  
2.7 V  
nA  
–10  
10  
(1) The algebraic convention, whereby the most negative value is a minimum and the most positive value is a maximum  
(2) All unused digital inputs of the device must be held at VIO or GND to ensure proper device operation. Refer to the TI application report,  
Implications of Slow or Floating CMOS Inputs, literature number SCBA004.  
6
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Copyright © 2008, Texas Instruments Incorporated  
Product Folder Link(s): TS3DS26227  
1...3456789...19

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TS3DS26227YZTR TI

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