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TPS622(B,F) PDF预览

TPS622(B,F)

更新时间： 2024-01-26 04:27:37
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电
页数 文件大小 规格书
5页 200K
描述
Photo Transistor, PHOTO TRANSISTOR DETECTOR, LEAD FREE, PLASTIC, 0-3G1, 2 PIN

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TPS622(B,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, 0-3G1, 2 PINReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.40.70.80风险等级：5.62
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V配置：SINGLE
最大暗电源：100 nA红外线范围：YES
标称光电流：0.055 mA安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最大通态电流：0.05 A
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：PHOTO TRANSISTOR峰值波长：870 nm
最大功率耗散：0.075 W形状：ROUND
尺寸：1.5 mm子类别：Photo Transistors
表面贴装：NOBase Number Matches：1

TPS622(B,F) 数据手册

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TPS622(F)  
TOSHIBA Phototransistor Silicon NPN Epitaxial Planar  
TPS622(F)  
Opto-electronic Switch  
Optical Mouse  
Unit in : mm  
Optical Touch Switch  
•
•
•
•
•
Compact side view epoxy resin package  
High response speed: t , t = 6μs (typ.)  
r
f
Half value angle: θ1/2 = ±15° (typ.)  
Visible light cut type (black package)  
Optimum in combination with infrared LED TLN117(F) with  
identical external dimensions.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector−emitter voltage  
Emitter−collector voltage  
Collector current  
V
V
30  
5
V
V
CEO  
ECO  
I
50  
75  
mA  
mW  
C
Collector power dissipation  
P
C
TOSHIBA  
0 – 3G1  
Collector power dissipation derating  
(Ta > 25°C)  
ΔP / °C  
−1  
mW / °C  
C
Weight: 0.1 g (typ.)  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
Soldering temperature (5s)  
T
opr  
−25~85  
°C  
°C  
°C  
T
−40~100  
stg  
sol  
T
260 (Note 1)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Soldering portion of lead: At least 2mm from the body of the device.  
Opto-electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
I (I  
Test Condition  
Min.  
⎯
Typ.  
0.005  
70  
Max.  
0.1  
⎯
Unit  
μA  
Dark current  
Light current  
)
V
= 24V, E = 0  
D
CEO  
CE  
E = 0.1mW / cm2,  
I
27  
μA  
L
V
= 3V  
(Note 2,3)  
CE  
Collector−emitter saturation  
voltage  
E = 0.1mW / cm2,  
I = 15μA  
L
V
⎯
0.15  
0.4  
V
CE(sat)  
Peak sensitivity wavelength  
Half value angle  
λ
⎯
⎯
⎯
⎯
870  
±15  
⎯
⎯
nm  
°
P
1
2
θ
Rise time  
Fall time  
t
⎯
⎯
6
6
⎯
⎯
r
V
= 5V, I = 2mA  
C
CC  
L
Switching time  
μs  
R = 100Ω  
t
f
1
2007-10-01  
12345

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