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TP3061

更新时间： 2024-02-11 21:59:34
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
UHF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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TP3061 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：10 A
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F6
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：175 W
最大功率耗散 (Abs)：175 W最小功率增益 (Gp)：8 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TP3061 数据手册

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by TP3061/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
The TP3061 is designed for 960 MHz mobile base stations in both analog and  
digital applications. It incorporates high value emitter ballast resistors, gold  
metallizations and offers a high degree of reliability and ruggedness. Including  
double input and output matching networks, the TP3060 features high  
impedances and is easy to match.  
•
•
•
Motorola Advanced Amplifier Concept Package  
Oxynitride Passivation  
45 W, 960 MHz  
UHF POWER  
TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Specified 26 Volts, 960 MHz Characteristics  
Output Power = 45 Watts  
Minimum Gain = 8.0 dB  
Efficiency = 50%  
•
Circuit board photomaster available upon request by contacting  
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
CASE 333A–02, STYLE 2  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CER  
V
CBO  
V
EBO  
48  
4.0  
10  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
175  
1.0  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (1) at 70°C Case  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.2  
°C/W  
θJC  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 60 mA, R = 75 Ω)  
V
V
V
40  
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CER  
(BR)EBO  
(BR)CBO  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 6.0 mAdc)  
3.5  
C
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 60 mAdc)  
48  
—
—
—
—
Vdc  
mA  
E
Collector–Emitter Leakage (V  
= 26 V, R  
BE  
= 75 Ω)  
I
15  
CE  
CER  
NOTE:  
(continued)  
1. Thermal resistance is determined under specified RF operating condition.  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TP3062 ETC

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