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TMMDB3

更新时间： 2024-09-23 22:19:27
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4页 54K
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DIAC

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TMMDB3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：MELF包装说明：LONG FORM, O-LELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：1.15最大转折电压：36 V
最小转折电压：28 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLEJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified子类别：Silicon Surge Protectors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：30触发设备类型：DIAC
Base Number Matches：1

TMMDB3 数据手册

 浏览型号TMMDB3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TMMDB3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TMMDB3的Datasheet PDF文件第3页 
TMMDB3  
Fig. 3: Time duration while current pulse is higher  
50mA versus C and Rs (typical values).  
tp(µs)  
40  
Tj=25°C  
68Ω  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
47Ω  
33Ω  
22Ω  
10Ω  
C(nF)  
0Ω  
0
10  
20  
50  
100  
200  
500  
PACKAGE MECHANICAL DATA (in millimeters)  
MINIMELF  
A
REF.  
DIMENSIONS  
Millimeters Inches  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
E
F
A
B
C
D
3.30  
1.59  
0.40  
3.40  
1.60  
0.45  
1.50  
3.6  
0.130 0.134 0.142  
B
O/  
1.62 0.063 0.063 0.064  
0.50 0.016 0.018 0.020  
0.059  
D
O
/
C
C
0.05 E-F  
O
/
FOOTPRINT  
2
2.5  
5
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