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TK72A12N1

更新时间： 2024-01-13 23:11:16

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东芝 - TOSHIBA		稳压器开关
页数	文件大小	规格书
9页	239K
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Switching Voltage Regulators

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TK72A12N1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	256 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	120 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	72 A
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	355 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK72A12N1 数据手册

TK72A12N1

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

120

±20

(Silicon limit)

(Tc = 25)

(t = 1 ms)

(Note 1), (Note 2)

(Note 1)

179

(Note 1)

IDP

355

(Tc = 25)

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 3)

EAS

IAR

256

Channel temperature

Storage temperature

Tch

Tstg

150



-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

5. Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Channel-to-case thermal resistance

Channel-to-ambient thermal resistance

Rth(ch-c)

Rth(ch-a)

2.77

62.5

/W

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150.

Note 2: Limited by silicon chip capability. Package limit is 100 A.

Note 3: VDD = 80 V, Tch = 25 (initial), L = 48.3 µH, IAR = 72 A

Note: This transistor is sensitive to electrostatic discharge and should be handled with care.

2012-08-30

Rev.1.0

123 4 5 6 7...9

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